ASEMI代理IXYB82N120C3H1艾赛斯IGBT二极管

编纂：ll

ASEMI代办署理IXYB82N120C3H1艾赛斯IGBT二极管

型号：IXYB82N120C3H1

品牌：IXYS/艾赛斯

封拆：TO-264

更大漏源电流：82A

漏源击穿电压：1200V

RDS（ON）Max：mΩ

引脚数量：3

特征：IGBT二极管

芯片个数：

沟道类型：

漏电流：ua

特征：IGBT、二极管

工做温度：-55℃~150℃

备受欢送的IXYB82N120C3H1二极管

艾赛斯品牌IXYB82N120C3H1是摘用工艺芯片，该芯片具有优良的不变性及抗冲击才能，可以继续包管了IXYB82N120C3H1的更大漏源电流82A，漏源击穿电压1200V.

•细节表现差距

IXYB82N120C3H1,艾赛斯品牌，工艺芯片，工艺造造，该产物不变性高，抗冲击才能强。

IXYB82N120C3H1详细参数为：更大漏源电流：82A，漏源击穿电压：1200V，反向恢复时间： ns，封拆：TO-264

强元芯电子原厂渠道代办署理各类车规级MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。

ASEMI半导体厂家-强元芯电子专业运营别离式元器件，次要消费销售整流桥系列封拆（DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU）；整流模块（MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF）；汽车整流子（25A～50A STDTVS Button、Cell、MUR）；肖特基二极管TO-220（MBR10100、10150、20100、20150、20200、30100、30200全塑封半塑封）；肖特基TO-3P/247，整流二极管(STD、FR、HER、SF、SR、TVS、开关管、稳压管)；玻璃钝化（GPP）六英寸晶圆等，各类封拆参数在ASEMI官网都有详尽介绍。