SCMs|操纵界面工程来调控铁电隧道忆阻器的生物突触行为

界面工程不断是调剂铁电隧道结忆阻器（FTM）行为的重要路子，且间接影响其生物突触特征。

近日， 河北大学郭瑞博士、闫小兵传授和新加坡国立大学陈景升传授等人在 Science China Materials颁发研究论文，研究了具有Pt/BaTiO 3 /La 0.67 Sr 0.33 MnO 3 构造的忆阻器，此中能够通过掌握SrTiO 3 （STO）衬底的末行层和BaTiO 3 （BTO）薄膜层状生长形式来掌握忆阻器器件的界面。

本文要点：

1) 因为BTO薄膜相反的铁电极化标的目的以及与之对应的差别的能带构造，具有差别界面的FTM闪现出相反的电阻开关行为，更重要的是，FTM的突触进修特征也能够通过掌握界面来调整。

2) 具有差别接口末端的FTM能够调剂长时程加强、长时程按捺、尖峰时间依靠性可塑性和配对脉冲促进的差别特征。

3) 基于那两种接口工程FTM的突触行为，能够构建人工神经收集系统来完成手写数字图像识别过程，两者的准确率都接近90%。

本研究为通过纳米级界面工程调整忆阻器的功用供给了有用的参考。

文章信息

Zhao J., Yu T., Shao Y., et al. Bio-synapse behavior controlled by interface engineering in ferroelectric tunnel memristors.Sci. China Mater. (2022).

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