1、共射电放逐大系数 和β
在共射极放大电路中，若交换输入信号为零，则管子各极间的电压和电流都是曲流量，此时的集电极电流IC和基极电流IB的比就是 ， 称为共射曲流电放逐大系数。
当共射极放大电路有交换信号输入时，因交换信号的感化，一定会引起IB的变革，响应的也会引起IC的变革，两电流变革量的比称为共射交换电放逐大系数β，即（5-6）
上述两个电放逐大系数 和β的含义固然差别，但工做在输出特征曲线放大区平展部门的三极管，两者的差别极小，可做近似相等处置，故在此后应用时，凡是不加区分，间接互相替代利用。
因为造造工艺的分离性，统一型号三极管的β值差别较大。常用的小功率三极管，β值一般为20～100。β过小，管子的电放逐高文用小，β过大，管子工做的不变性差，一般选用β在40～80之间的管子较为适宜。
2、极间反向饱和电流ICBO和ICEO
（1）集电结反向饱和电流ICBO是指发射极开路，集电结加反向电压时测得的集电极电流。常温下，硅管的ICBO在nA（10-9）的量级，凡是可忽略。
（2）集电极-发射极反向电流ICEO是指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流，即穿透电流，穿透电流的大小受温度的影响较大，穿透电流小的管子热不变性好。
3、极限参数
（1）集电极更大允许电流ICM
晶体管的集电极电流IC在相当大的范畴内β值根本连结稳定，但当IC的数值大到必然水平时，电放逐大系数β值将下降。使β明显削减的IC即为ICM。为了使三极管在放大电路中能一般工做，IC不该超越ICM。
（2）集电极更大允许功耗PCM
晶体管工做时、集电极电流在集电结上将产生热量，产生热量所消耗的功率就是集电极的功耗PCM，即
PCM=ICUCE （5-7）
功耗与三极管的结温有关，结温又与情况温度、管子能否有散热器等前提相关。按照5-7式可在输出特征曲线上做出三极管的允许功耗线，如图5-8所示。功耗线的左下方为平安工做区，右上方为过损耗区。
手册上给出的PCM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结的上限温度为150℃摆布，锗管为70℃摆布，利用时应留意不要超越此值，不然管子将损坏。
（3）反向击穿电压UBR（CEO）
反向击穿电压UBR（CEO）是指基极开路时，加在集电极与发射极之间的更大允许电压。利用中若是管子两头的电压UCE＞UBR（CEO），集电极电流IC将急剧增大，那种现象称为击穿。管子击穿将形成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源EC的值选得过大时，有可能会呈现，当管子截行时，UCE＞UBR（CEO）招致三极管击穿而损坏的现象。一般情况下，三极管电路的电源电压EC应小于1/2 UBR（CEO）。
4、温度对三极管参数的影响
几乎所有的三极管参数都与温度有关，因而不容轻忽。温度对下列的三个参数影响更大。
（1）对β的影响：
三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％，其成果是在不异的IB情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。
（2）对反向饱和电流ICEO的影响：
ICEO是由少数载流子漂移运动构成的，它与情况温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。因为硅管的ICEO很小，所以，温度对硅管ICEO的影响不大。
（3）对发射结电压ube的影响：
和二极管的正向特征一样，温度上升1℃，ube将下降2～2.5mV。
综上所述，跟着温度的上升，β值将增大，iC也将增大，uCE将下降，那对三极管放高文用倒霉，利用中应采纳响应的办法克制温度的影响。