光刻工艺是操纵类似拍照造版的原理，在半导体晶片外表的掩膜层上面刻蚀精巧 图形的外表加工手艺。也就是利用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光素材 的硅晶片外表，再颠末蚀刻工艺往 除无用部门，所剩就是电路自己了。光刻工艺的流程中有造版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、侵蚀、往 胶等。
光刻是造造 半导体器件和集成电路的关键 工艺。自20世纪60年代以来，都是用带有图形的掩膜笼盖在被加工的半导体芯片外表，造造 出半导体器件的差别工做区。跟着集成电路所包罗的器件越来越多，要求单个器件尺寸及其间隔越来越小，所以常以光刻所能辨认 的最小线条宽度来标记集成电路的工艺程度。国际上校先辈的集成电路消费线是1微米线，即光刻的辨认 线宽为1微米。日本两家公司胜利地利用 加速器所产生的同步辐射X射线停止投影式光刻，造成了线宽为0.1微米的微细布线，使光刻手艺到达新的程度。
光刻工艺的目标该步调操纵曝光和显影在光刻胶层上描绘几何图形构造，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上，也就是能够切确地掌握 构成图形的外形 、大小，此外它能够同时在整个芯片外表产生外形轮廓。
光刻工艺概述：
下面以衬底上金属毗连的刻蚀为例讲解光刻过程。
起首，通过金属化过程，在硅衬底上安插一层仅数纳米厚的金属层。然后在那层金属上覆上一层光刻胶。那层光阴剂在曝光（一般是紫外线）后能够被特定溶液（显影液）化解 。
使特定的光波穿过光掩膜照射在光刻胶上，能够对光刻胶停止抉择 性照射（曝光）。然后利用前面提到的显影液，化解 掉被照射的区域，如许，光掩模上的图形就闪现 在光刻胶上。凡是还将通过烘干办法，改进 剩余部门光刻胶的一些性量。
上述步调完成后，就能够对衬底停止抉择 性的刻蚀或离子注进 过程，未被化解 的光刻胶将庇护衬底在那些过程中不被改动。
刻蚀或离子注进 完成后，将停止光刻的最初一步，即将光刻胶往 除，以便利停止半导体器件造造的其他步调。凡是，半导体器件造造整个过程中，会停止良多次光刻流程。消费复杂集成电路的工艺过程中可能需要停止多达50步光刻，而消费薄膜所需的光刻次数会少一些。
以上内容参考：百度百科-光刻工艺
光刻工艺的三要素
光刻工艺的三要素： ① 掩模版:主体为石英玻璃,透光性高,热膨胀 系数小 ② 光刻胶:又称光致抗蚀剂,摘 用恰当的有抉择 性的光刻胶,使外表上得到所需的图像. ③ 曝光机:用于曝光。
烈火战将