场效应管的工作原理是什么？

场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种三极管，因为其具有高输入阻抗、低噪声、低失实和低功耗等长处，被普遍应用于放大器、开关和振荡器等电子电路中。FET由源极、漏极和栅极三个端子构成，栅极之间的电场能够控造漏极和源极之间的电流。

FET的工做原理基于栅极的电场控造漏极和源极之间的电流，其工做过程能够分为三个阶段：

1.截行区：当栅极电压为0时，漏极和源极之间的电流十分小，FET处于截行形态。

2.加强区：当栅极电压增加到必然值时（称为阈值电压），栅极和漏极之间构成了足够大的电场，漏极和源极之间的电流起头增加。当栅极电压继续增加时，漏极和源极之间的电流也随之增加，那个区域称为加强区。

3.饱和区：当栅极电压继续增加时，漏极和源极之间的电流到达更大值，此时FET处于饱和形态。

FET次要分为JFET和MOSFET两品种型。

JFET（结型场效应管）的栅极和漏极之间是一个PN结，栅极电压控造的是PN结的反向偏压，改动了PN结的电容，从而改动了漏极和源极之间的电流。

MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）的栅极和漏极之间是一个氧化物层和金属层，栅极电压控造的是氧化物层上的电荷密度，改动了漏极和源极之间的电流。

FET的工做原理基于栅极的电场控造漏极和源极之间的电流，具有高输入阻抗、低噪声、低失实和低功耗等长处。FET次要分为JFET和MOSFET两品种型，别离基于PN结和氧化物层控造电流。