什么是场效应管？
场效应管（FET）是一种半导体器件，用于放大和开关电路。它与双极性晶体管差别，场效应管是一种单极性器件，能够用于造造低噪声放大器、高频放大器、开关、振荡器等电路。场效应管有三品种型：金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）、金属-半导体场效应管（MESFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
场效应管有哪些参数？
1. 漏极电流（IDSS）：在栅极开路时，漏极电极上的电流。那个参数是指在零偏置电压下，漏极电流的更大值。
2. 零偏置漏极电压（VP）：当栅极电压为零时，漏极电极上的电压。那个参数是指在零栅极电压下，漏极电极上的电压。
3. 饱和漏极电流（ID）：当栅极电压为正时，漏极电极上的电流。那个参数是指在更大栅极电压下，漏极电流的更大值。
4. 饱和漏极电压（VDS）：当栅极电压为正时，漏极电极上的电压。那个参数是指在更大栅极电压下，漏极电压的更大值。
5. 互导（gm）：栅极电压变革时，漏极电流变革的比率。那个参数是指在更大栅极电压下，互导的更大值。
6. 输入电容（Ciss）：栅极到源极之间的电容。那个参数是指在更大栅极电压下，输入电容的更大值。
7. 输出电容（Coss）：漏极到源极之间的电容。那个参数是指在更大栅极电压下，输出电容的更大值。
8. 反向传导电容（Crss）：栅极到漏极之间的电容。那个参数是指在更大栅极电压下，反向传导电容的更大值。
9. 负温度系数（TC）：当场效应管的温度升高时，漏极电流的变革率。那个参数是指在更大栅极电压下，负温度系数的更大值。
以上是场效应管的一些重要参数，能够用于设想和选择场效应管的电路。
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