东芝闪存颗粒命名规则？
命名规则：THGAF4G9N4LBAIR（UFS2.1，15nm，MLC）
字符1： T: "Toshiba" 东芝
字符2： H: "Multi-chip" 多芯片封装
字符3： G: Symbol of Type of flash type "IC" 集成电路
字符4： A: Symbol of "voltage type" 表示供电电压类型
字符5： F: NAND Interface type is "UFS" 闪存接口类型为UFS
字符6： 4: Unique code of controller revision 内置控制器版本为4
字符7： G: Memory density calculated by G bits 容量用G bits表示
字符8： 9: Memory density is 2^9=512G bits (64GB) 2的9次方，512G bits，即64GB
字符9： N: Symbol of "cell level" (cell technology) 架构为MLC
字符10： 4: Number of stacked chips is 4 封装内含堆叠芯片数为4
字符11： L: Symbol of "Design rule" 15nm (K for 19nm, J for 24nm) 制程为15nm
字符12-13： BA: Package type is BGA lead free and halogen free 无铅无卤素BGA封装
字符14： I: Symbol of Mode "industrial version" -25ºC to 85ºC 工业版本
字符15： R: Symbol of "Package size" 11.5mmx13mmx1.0mm 封装大小
其中，第9个字符与闪存架构有关：
1）SLC（Single-Level Cell）为S或H；
2）DLC（Dua-Level Cell）为D或E【不常见】；
3）TLC（Triple-Level Cell）为T或U；
4）MLC（Multi-Level Cell）为B、C、J、K、L、N 等。